n-Si/SWCNT ve n-Si/MWCNT ince filmlerinin üretilmesi ve karşılaştırılması
Niğde Ömer Halisdemir Üniversitesi Mühendislik Bilimleri Dergisi, cilt.16, sa.1884938, ss.1-7, 2026 (TRDizin)
- Yayın Türü: Makale / Tam Makale
- Cilt numarası: 16 Sayı: 1884938
- Basım Tarihi: 2026
- Doi Numarası: 10.28948/ngumuh.1884938
- Dergi Adı: Niğde Ömer Halisdemir Üniversitesi Mühendislik Bilimleri Dergisi
- Derginin Tarandığı İndeksler: TR DİZİN (ULAKBİM)
- Sayfa Sayıları: ss.1-7
- Recep Tayyip Erdoğan Üniversitesi Adresli: Evet
Özet
Bu çalışmada, n-tipi silikon (n-Si) altlık üzerinde tek katmanlı (SWCNT) ve çok katmanlı karbon nanotüp (MWCNT) ince filmleri üretilmiş ve yapısal özellikleri karşılaştırmalı olarak incelendi. Karbon nanotüp filmler farklı damlatma miktarlarıyla silikon yüzeye kaplandı ve elde edilen yapıların yüzey bileşimi ile kristal özellikleri sırasıyla Enerji Dağılımlı X-ışını Spektroskopisi (EDS) ve X-ışını Kırınımı (XRD) analizleriyle değerlendirildi. EDS sonuçları, kaplama miktarının artmasıyla yüzeyde karbon oranının yükseldiğini ve altlıktan gelen sinyalin azaldığını gösterdi. XRD analizleri ise kaplama işleminin silikon altlığın kristal yapısını bozmadığını ortaya koyuldu. Taramalı Elektron Mikroskobu (SEM) fotoğraflarından, SWCNT ve MWCNT kaplamalar arasında yüzey örtücülüğü ve film oluşumu bakımından belirli farklılıklar olmadığı gözlendi. Elde edilen bulgular, CNT tabanlı yapıların düşük güç tüketimli elektronik ve çevresel algılama uygulamalarında kullanılabilecek enerji verimli elektronik bileşenlerin geliştirilmesi açısından potansiyel sunduğunu göstermektedir.